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参数资料
| 型号： | IRFR110TRR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 4.3 A, 100 V, 0.54 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | IRFR110TRR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3706CPBF | 30 A, 20 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| IRFU3706 | 75 A, 20 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| IRFY140C | 16 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
| IRFZ32 | 25 A, 50 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFZ44VZ | 57 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR110TRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR111 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-252 |
| IRFR1111 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.031ohm, Id=33A) |
| IRFR11N25D | 功能描述:MOSFET N-CH 250V DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR120 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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