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参数资料
| 型号： | IRFU3706 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 20 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 封装： | LEAD FREE, IPAK-3 |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 220K |
| 代理商： | IRFU3706 |
www.irf.com
1
12/10/04
IRFR3706
IRFU3706
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
VDSS
RDS(on) max
ID
20V
9.0m
75A
Notes
through are on page 10
D-Pak
I-Pak
IRFR3706
IRFU3706
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Max.
Units
VDS
Drain-Source Voltage
20
V
VGS
Gate-to-Source Voltage
± 12
V
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
75
ID @ TC = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
53
A
IDM
Pulsed Drain Current
280
PD @TC = 25°C
Maximum Power Dissipation
88
W
PD @TC = 100°C
Maximum Power Dissipation
44
W
Linear Derating Factor
0.59
mW/°C
TJ , TSTG
Junction and Storage Temperature Range
-55 to + 175
°C
Parameter
Typ.
Max.
Units
RθJC
Junction-to-Case
–––
1.7
RθJA
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
–––
50
°C/W
RθJA
Junction-to-Ambient
–––
110
Thermal Resistance
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
Applications
Benefits
l Ultra-Low Gate Impedance
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
l High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
l High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
PD - 93933B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRFZ44VZ | 57 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRG4BC20MD-S | 18 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| IRG4RC20FPBF | 22 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRFU3706CPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET |
| IRFU3706PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU3707 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU3707PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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