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参数资料
| 型号： | IRFU3706 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 20 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 封装： | LEAD FREE, IPAK-3 |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 220K |
| 代理商： | IRFU3706 |
IRFR/U3706
www.irf.com
9
I-Pak (TO-251AA) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
I-Pak (TO-251AA) Part Marking Information
ASSE MBLY
EXAMPLE:
WIT H ASSE MBLY
THIS IS AN IRFU120
YEAR 9 = 1999
DAT E CODE
LINE A
WEEK 19
IN T HE ASSE MBLY LINE "A"
ASSE MBLED ON WW 19, 1999
LOT CODE 5678
PART NUMBER
56
IRFU120
INT ERNAT IONAL
LOGO
RE CT IFIER
LOT CODE
919A
78
Note: "P" in as s embly line
position indicates "Lead-F ree"
OR
56
78
ASS EMBLY
LOT CODE
RECT IFIER
LOGO
INT ERNAT IONAL
IRF U120
PART NUMBER
WEEK 19
DAT E CODE
YEAR 9 = 1999
A = ASS EMBLY SIT E CODE
P = DESIGNAT ES LEAD-F REE
PRODUCT (OPT IONAL)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRFZ44VZ | 57 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRG4BC20MD-S | 18 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| IRG4RC20FPBF | 22 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRFU3707 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU3707PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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