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参数资料
| 型号： | IRFU3706 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 20 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 封装： | LEAD FREE, IPAK-3 |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 220K |
| 代理商： | IRFU3706 |
IRFR/U3706
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤ 5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
VGS=10V
VDD
ISD
Driver Gate Drive
D.U.T. ISD Waveform
D.U.T. VDS Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
-
Fig 14. For N-Channel HEXFET Power MOSFETs
* VGS = 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
RG
VDD
dv/dt controlled by RG
Driver same type as D.U.T.
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFY140C | 16 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
| IRFZ32 | 25 A, 50 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFZ44VZ | 57 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRG4BC20MD-S | 18 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| IRG4RC20FPBF | 22 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU3706-701PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU3706CPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET |
| IRFU3706PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU3707 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU3707PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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