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参数资料
| 型号： | IRFU3706 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 20 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 封装： | LEAD FREE, IPAK-3 |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 220K |
| 代理商： | IRFU3706 |
IRFR/U3706
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
V
,Source-to-Drain Voltage (V)
I
,
Reverse
Drain
Current
(A)
SD
V
= 0 V
GS
T = 25 C
J
°
T = 175 C
J
°
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY RDS(on)
Single Pulse
T
= 175 C
= 25 C
°
J
C
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
,
D
rai
n
C
u
rr
ent
(
A
)
I
,
D
rai
n
C
u
rr
ent
(
A
)
DS
D
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
100000
C
,
C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V,
f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds+ Cgd
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
Q , Total Gate Charge (nC)
V
,
Gate-to-Source
Voltage
(V)
G
GS
I =
D
28A
V
= 10V
DS
V
= 16V
DS
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