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参数资料
| 型号： | IRFR1205TRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 107W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U1205
50
40
30
LIMITED BY PACKAG E
V GS
R G
5.0V
V DS
R D
D.U.T.
+
- V DD
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
20
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
10
V DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature ( ° C)
10%
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 10b. Switching Time Waveforms
10
1
D = 0.50
0.20
0.10
P DM
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
0.01
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
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PDF描述 |
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