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参数资料
| 型号： | IRFR120TRRPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 4.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 360pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
www.vishay.com
TO-252AA Case Outline
Vishay Siliconix
E
b3
A
C2
DIM.
A
A1
b
b2
b3
C
C2
D
D1
E
MILLIMETERS
MIN. MAX.
2.18
2.38
-
0.127
0.64
0.88
0.76
1.14
4.95
5.46
0.46
0.61
0.46
0.89
5.97
6.22
4.10
-
6.35
6.73
MIN.
0.086
-
0.025
0.030
0.195
0.018
0.018
0.235
0.161
0.250
INCHES
MAX.
0.094
0.005
0.035
0.045
0.215
0.024
0.035
0.245
-
0.265
b
e1
e
b2
C
A1
E1
H
e
4.32 -
9.40 10.41
2.28 BSC
0.170 -
0.370 0.410
0.090 BSC
e1
4.56 BSC
0.180 BSC
L
L3
L4
L5
1.40
0.89
-
1.01
1.78
1.27
1.02
1.52
0.055
0.035
-
0.040
0.070
0.050
0.040
0.060
ECN: T13-0359-Rev. O, 03-Jun-13 ?
E1
DWG: 5347
Notes
? Dimension L3 is for reference only.
? Xi’an, Mingxin, and GEM SH actual photo.
Revision: 03-Jun-13
1
Document Number: 71197
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR12N25DTRPBF | MOSFET N-CH 250V 14A DPAK |
| IRFR13N15DPBF | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK |
| IRFR13N20DCTRLP | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| IRFR15N20DTRRP | MOSFET N-CH 200V 17A DPAK |
| IRFR18N15DTRPBF | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR120Z | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR120ZHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
| IRFR120ZPBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR120ZPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N |
| IRFR120ZPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
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