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参数资料
| 型号： | IRFR21N60L |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的开关电源 |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 163K |
| 代理商： | IRFR21N60L |
www.irf.com
9
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
4 - DRAIN
NOTES:
- D -
5.30 (.209)
4.70 (.185)
2.50 (.089)
1.50 (.059)
4
3X
0.80 (.031)
0.40 (.016)
2.60 (.102)
2.20 (.087)
3.40 (.133)
3.00 (.118)
3X
0.25 (.010) M
C A S
4.30 (.170)
3.70 (.145)
- C -
2X
5.50 (.217)
4.50 (.177)
5.50 (.217)
0.25 (.010)
1.40 (.056)
1.00 (.039)
3.65 (.143)
3.55 (.140)
D
M
M
B
- A -
15.90 (.626)
15.30 (.602)
- B -
1
2
3
20.30 (.800)
19.70 (.775)
14.80 (.583)
14.20 (.559)
2.40 (.094)
2.00 (.079)
2X
5.45 (.215)
2X
1 DIMENSIONING & TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 CONFORMS TO JEDEC OUTLINE
TO-247-AC.
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information
.
02/03
TO-247AC package is not recommended for Surface Mount Application.
Notes: This part marking information applies to devices produced after 02/26/2001
EXAMPLE:
ASSEMBLED ON WW 35, 2000
IN THE ASSEMBLY LINE "H"
LOT CODE 5657
WITH ASSEMBLY
THIS IS AN IRFPE30
035H
LOGO
INTERNATIONAL
RECTIFIER
IRFPE30
LOT CODE
ASSEMBLY
56 57
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 0 = 2000
WEEK 35
LINE H
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3303 | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU330 | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR1111 | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.031ohm, Id=33A) |
| IRFU3303 | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
| IRFR3411 | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR220 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR220,118 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 4.8A SOT428 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR220_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-252AA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR220119 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFR2209A | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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