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参数资料
| 型号： | IRFR320TRRPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 欧姆 @ 1.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR320, IRFU320, SiHFR320, SiHFU320
www.vishay.com
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
Vishay Siliconix
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
S13-0165-Rev. D, 04-Feb-13
4
Document Number: 91273
For technical questions, contact: hvmos.techsupport@vishay.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3412TRPBF | MOSFET N-CH 100V 48A DPAK |
| IRFR3418TRPBF | MOSFET N-CH 80V 70A DPAK |
| IRFR3504TRPBF | MOSFET N-CH 40V 30A DPAK |
| IRFR3706CTRLPBF | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK |
| IRFR3706TRLPBF | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR321 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFR322 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-252AA |
| IRFR325 | 制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRFR330 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET |
| IRFR3303 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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