- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384497 > IRFR3411PBF (International Rectifier) HEXFET Power MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFR3411PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | IRFR3411PBF |
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
20
40
60
80
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
16A
V
= 20V
DS
V
= 50V
DS
V
= 80V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
°
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
TA = 25°C
TJ = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU3411PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR3412 | SMPS MOSFET |
| IRFU3412 | SMPS MOSFET |
| IRFR3418 | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3418 | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR3411TRLPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 36 Milliohms, ID 32A, D-Pak (TO-252AA), -55deg 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 32A 3PIN DPAK - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 100 V 130 W 48 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - DPAK |
| IRFR3411TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3411TRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 100V, 32A, 44 MOHM, 48 NC QG, D-PAK - Tape and Reel |
| IRFR3412 | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 100V, 48A, D-PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Dr |
| IRFR3412PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 48A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。