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参数资料
| 型号： | IRFR3412TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 48A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 89nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3430pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U3412PbF
I-Pak (TO-251AA) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
I-Pak (TO-251AA) Part Marking Information
EXAMPLE: THIS IS AN IRF U120
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 5678
ASSEMBLED ON WW 19, 1999
IN THE ASSEMBLY LINE "A"
Note: "P" in as s embly line
pos ition indicates "Lead-Free"
INT ERNAT IONAL
RECT IFIER
LOGO
ASSEMBLY
LOT CODE
IRFU120
919A
56 78
PART NUMBER
DAT E CODE
YEAR 9 = 1999
WEEK 19
LINE A
OR
PART NUMBE R
INT ERNAT IONAL
RECTIF IER
LOGO
IRFU120
DATE CODE
P = DES IGNAT ES LEAD-F REE
www.irf.com
AS SEMBLY
LOT CODE
56
78
PRODUCT (OPTIONAL)
YEAR 9 = 1999
WE EK 19
A = ASS EMBLY SIT E CODE
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3418TRPBF | MOSFET N-CH 80V 70A DPAK |
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| IRFR3706TRLPBF | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK |
| IRFR3707TRLPBF | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR3412TRR | 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Switch Mode Power Supply (SMPS) |
| IRFR3412TRRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 48A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR3418 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| IRFR3418HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 80V, 70A, 14 MOHM, 63 NC QG, D-PAK - Bulk |
| IRFR3418PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 70A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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