- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17581 > IRFR3504TRLPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 40V 30A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFR3504TRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 30A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.2 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 71nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U3504PbF
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
12
10
I D = 30A
V DS = 32V
V DS = 20V
V DS = 8V
10000
Coss = Cds + Cgd
Ciss
8
1000
100
10
Coss
Crss
6
4
2
0
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
0
10 20 30
Q G , Total Gate Charge (nC)
40
50
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS (on)
100
10
T J = 175
° C
100
100μsec
T J = 25
° C
10
1msec
1
Tc = 25°C
0.1
V GS = 0 V
1
Tj = 175°C
Single Pulse
10msec
0.0
0.5 1.0 1.5 2.0
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
2.5
3.0
1
10 100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1000
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EMC06DREI | CONN EDGECARD 12POS .100 EXTEND |
| IXDN604SITR | IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC |
| R7001803XXUA | RECTIFIER 1800V 300A |
| 9B-28.63636MAAJ-B | CRYSTAL 28.63636 MHZ 18PF HC49US |
| R7001204XXUA | RECTIFIER 1200V 450A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR3504TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 87A 9.2mOhm 48nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3504TRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 40V, 87A, 9.2 MOHM, 48 NC QG, D-PAK - Tape and Reel |
| IRFR3504TRRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR3504Z | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR3504ZHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 77A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。