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参数资料
| 型号： | IRFR3504TRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 30A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.2 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 71nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U3504PbF
100
80
60
40
20
LIMITED BY PACKAG E
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 87A
T C , Case Temperature ( C)
( C)
0
25
50 75 100 125 150
°
175
0.0
-60
-40
-20 0 20 40 60 80
T J , Junction Temperature
V GS = 10V
100 120 140 160 180
°
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
10
1
D = 0.50
0.20
0.10
Fig 10. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
P DM
0.1
0.05
t 1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D =
t 1 / t 2
t 2
0.01
2. Peak T
J = P DM x Z thJC
+T C
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRFR3504Z | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR3504ZHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 77A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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