参数资料
型号: IRFR3707
厂商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=13mohm, Id=61A)
中文描述: 功率MOSFET(减振钢板基本\u003d 30V的,的Rds(on)最大值\u003d 13mohm,身份证\u003d 61A条)
文件页数: 10/11页
文件大小: 261K
代理商: IRFR3707
10
www.irf.com
-0-.
ASSEMBLY
LOT CODE
EXAMPLE:
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 5678
THIS IS AN IRFU120
YEAR 9 = 1999
WEEK 19
DATE CODE
LINE A
IN THE ASSEMBLY LINE "A"
ASSEMBLED ON WW 19, 1999
PART NUMBER
56
IRFU120
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
919A
78
Note:
"P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"
56
78
ASSEMBLY
LOT CODE
RECTIFIER
LOGO
INTERNATIONAL
IRFU120
PART NUMBER
WEEK 19
A = ASSEMBLY SITE CODE
DATE CODE
P = PRODUCT (OPTIONAL)
YEAR 9 = 1999
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PDF描述
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参数描述
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IRFR3707PBFTR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR3707TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3707TRL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3707TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 61A 13mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube