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参数资料
| 型号： | IRFR3707 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=13mohm, Id=61A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 30V的，的Rds（on）最大值\u003d 13mohm，身份证\u003d 61A条） |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 261K |
| 代理商： | IRFR3707 |
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
2
4
6
8
10
12
QG Total Gate Charge (nC)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
VG
VDS= 24V
VDS= 15V
ID= 12A
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
0
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
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