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参数资料
| 型号： | IRFR3707ZCTRLP |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 56A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 56A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1150pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U3707ZCPbF
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
6.0
5.0
ID= 12A
VDS= 24V
VDS= 15V
4.0
1000
Ciss
3.0
100
Coss
Crss
2.0
1.0
0.0
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
1000.00
100.00
T J = 175°C
1000
100
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
10.00
10
100μsec
1.00
0.10
TJ = 25°C
VGS = 0V
1
0.1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
0
1
10
100
1000
4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3711ZTRRPBF | MOSFET N-CH 20V 93A DPAK |
| IRFR3910TRR | MOSFET N-CH 100V 16A DPAK |
| IRFR3911TRPBF | MOSFET N-CH 100V 14A DPAK |
| IRFR4105TRR | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK |
| IRFR5305TRR | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR3707ZCTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFET, 30V, 56A, 9.5 mOhm, 9.6 nC Qg, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3707ZCTRRP | 功能描述:MOSFET MOSFET, 30V, 56A, 9.5 mOhm, 9.6 nC Qg, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3707ZPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 9.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3707ZTR | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 56A, D-PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Dra |
| IRFR3707ZTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 56A 9.5mOhm 9.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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