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参数资料
| 型号： | IRFR3707ZCTRLP |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 56A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 56A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1150pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U3707ZCPbF
15V
200
VDS
L
DRIVER
180
160
ID
TOP 3.7A
5.6A
140
BOTTOM 12A
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
120
100
80
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
60
tp
V (BR)DSS
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
V DS
V GS
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
L D
D.U.T
+
V DD -
- DS
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
Fig 14a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
V GS
3mA
I G I D
Current Sampling Resistors
10%
V GS
Fig 13. Gate Charge Test Circuit
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 14b. Switching Time Waveforms
6
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3711ZTRRPBF | MOSFET N-CH 20V 93A DPAK |
| IRFR3910TRR | MOSFET N-CH 100V 16A DPAK |
| IRFR3911TRPBF | MOSFET N-CH 100V 14A DPAK |
| IRFR4105TRR | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK |
| IRFR5305TRR | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR3707ZCTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFET, 30V, 56A, 9.5 mOhm, 9.6 nC Qg, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3707ZCTRRP | 功能描述:MOSFET MOSFET, 30V, 56A, 9.5 mOhm, 9.6 nC Qg, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3707ZPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 9.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3707ZTR | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 56A, D-PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Dra |
| IRFR3707ZTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 56A 9.5mOhm 9.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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