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参数资料
| 型号： | IRFR3710ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | AUTOMOTIVE MOSFET |
| 中文描述： | 汽车MOSFET的 |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | IRFR3710ZPBF |
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
10
20
30
40
50
60
70
80
QG Total Gate Charge (nC)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
VG
VDS= 80V
VDS= 50V
VDS= 20V
ID= 33A
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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