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参数资料
| 型号： | IRFU3911 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的开关电源 |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | IRFU3911 |
www.irf.com
1
01/22/02
IRFR3911
IRFU3911
HEXFET
Power MOSFET
R
DS(on)
max
0.115
SMPS MOSFET
V
DSS
100V
I
D
14A
Parameter
Max.
14
9.5
56
56
0.37
± 20
7.1
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25
°
C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/
°
C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°
C
Absolute Maximum Ratings
Notes
through are on page 10
D-Pak
IRFR3911
I-Pak
IRFU3911
High frequency DC-DC converters
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
2.7
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°
C/W
Thermal Resistance
PD - 94272
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR4105ZPBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRFU4105ZPBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRFR48ZPBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRFU48ZPBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRFR5410PBF | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU3911PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A I-PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU410 | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| IRFU4104 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A) |
| IRFU4104-701PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU4104PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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