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参数资料
型号： IRFU3911
厂商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的开关电源
文件页数： 2/10页
文件大小： 102K
代理商： IRFU3911
2
www.irf.com
IRFR3911/IRFU3911
Parameter
Min. Typ. Max. Units
9.6
–––
–––
21 32
–––
4.3
–––
6.6
–––
7.9
–––
26
–––
52
–––
25
–––
740
–––
110
–––
18
–––
700
–––
61
–––
130
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 8.4A
I
D
= 8.4A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
V
DD
= 500V
I
D
= 8.4A
R
G
= 22
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 80V
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
6.5
9.9
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
68
8.4
0.0056
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 8.4A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= 8.4A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
86
290
1.3
–––
–––
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
14
56
A
Static @ T
J
= 25
°
C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.11
–––
V/
°
C Reference to 25
°
C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
2.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
100
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
–––
0.115
–––
–––
–––
–––
–––
V
V
GS
= 10V, I
D
= 8.4A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 150
°
C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
4.0
20
250
100
-100
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
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