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参数资料
| 型号： | IRFR3711ZTRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 93A DPAK |
| 标准包装： | 6,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 93A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.45V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2160pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U3711ZPbF
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = C gs + Cgd, C ds
Crss
= C gd
SHORTED
12
10
ID= 12A
VDS= 18V
VDS= 10V
Coss = Cds + Cgd
Ciss
8
1000
100
Coss
Crss
6
4
2
0
1
10
100
0
10
20
30
40
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Q G Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
1000.0
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100.0
10.0
T J = 175°C
100
10
100μsec
1.0
0.1
T J = 25°C
VGS = 0V
1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
4
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3711ZTRPBF | MOSFET N-CH 20V 93A DPAK |
| 445A23S30M00000 | CRYSTAL 30.00000 MHZ SERIES SMD |
| 445A23E27M00000 | CRYSTAL 27.00000 MHZ 20PF SMD |
| 5246MIWRCD | SWITCH TOGGLE DPDT ON-ON WW |
| 445A23D27M00000 | CRYSTAL 27.00000 MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR3711ZTRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3711ZTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 93A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR3711ZTRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 93A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRFR3711ZTRRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 93A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR3806PBF | 功能描述:MOSFET 60V SINGLE N-CH 15.8mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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