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参数资料
| 型号： | IRFR3711ZTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 93A DPAK |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet DPak |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 93A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.45V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2160pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRFR3711ZPBFDKR |
PD - 95074A
IRFR3711ZPbF
IRFU3711ZPbF
Applications
HEXFET ? Power MOSFET
l
High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
V DSS
R DS(on) max
Qg
l
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
20V
5.7m
18nC
for Telecom and Industrial Use
l
Lead-Free
Benefits
l
Very Low RDS(on) at 4.5V V GS
l
l
Ultra-Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
D-Pak
IRFR3711Z
I-Pak
IRFU3711Z
and Current
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
V GS
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
P D @T C = 100°C
T J
T STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
20
± 20
93
66
370
79
39
0.53
-55 to + 175
300 (1.6mm from case)
V
A
W
W/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
1.9
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
Junction-to-Ambient
–––
–––
50
110
°C/W
Notes ? through ? are on page 11
www.irf.com
1
12/13/04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445A23S30M00000 | CRYSTAL 30.00000 MHZ SERIES SMD |
| 445A23E27M00000 | CRYSTAL 27.00000 MHZ 20PF SMD |
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| 445A23D27M00000 | CRYSTAL 27.00000 MHZ 18PF SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR3711ZTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 93A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR3711ZTRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 93A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRFR3711ZTRRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 93A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR3806PBF | 功能描述:MOSFET 60V SINGLE N-CH 15.8mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3806TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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