- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21802 > IRFR3711ZTRPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 20V 93A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFR3711ZTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 93A DPAK |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet DPak |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 93A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.45V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2160pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRFR3711ZPBFDKR |
IRFR/U3711ZPbF
D-Pak (TO-252AA) Tape & Reel Information
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TR
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
TRR
TRL
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
12.1 ( .476 )
11.9 ( .469 )
FEED DIRECTION
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
FEED DIRECTION
NOTES :
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS ( INCHES ).
3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
13 INCH
16 mm
NOTES :
1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481.
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Starting T J = 25°C, L = 1.9mH, R G = 25 ? ,
I AS = 12A.
? Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.
? Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature. Package limitation current is 30A.
? When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).
For recommended footprint and soldering techniques refer to
application note #AN-994.
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information . 12/04
www.irf.com
11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445A23S30M00000 | CRYSTAL 30.00000 MHZ SERIES SMD |
| 445A23E27M00000 | CRYSTAL 27.00000 MHZ 20PF SMD |
| 5246MIWRCD | SWITCH TOGGLE DPDT ON-ON WW |
| 445A23D27M00000 | CRYSTAL 27.00000 MHZ 18PF SMD |
| 5659AB | SWITCH TOGGLE 3PDT ON-OFF-ON |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR3711ZTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 93A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR3711ZTRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 93A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRFR3711ZTRRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 93A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR3806PBF | 功能描述:MOSFET 60V SINGLE N-CH 15.8mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3806TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。