- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21633 > IRFR4105TRL (International Rectifier)MOSFET N-CH 55V 27A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFR4105TRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 68W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD - 91302C
IRFR/U4105
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
l
l
l
Ultra Low On-Resistance
Surface Mount (IRFR4105)
Straight Lead (IRFU4105)
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
G
D
V DSS = 55V
R DS(on) = 0.045 ?
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve the
lowest possible on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient device for use in a wide
variety of applications.
The D-PAK is designed for surface mounting using
vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.
The straight lead version (IRFU series) is for through-
hole mounting applications. Power dissipation levels
up to 1.5 watts are possible in typical surface mount
applications.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
S
D -P A K
T O -252 A A
Max.
I D = 27A ?
I-P A K
T O -25 1A A
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
27 ?
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
V GS
E AS
I AR
E AR
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ??
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy ??
Avalanche Current ??
Repetitive Avalanche Energy ??
Peak Diode Recovery dv/dt ?
19
100
68
0.45
± 20
65
16
6.8
5.0
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
2.2
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Ambient (PCB mount) **
Junction-to-Ambient
–––
–––
50
110
°C/W
www.irf.com
1
5/11/98
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1PS06 | CAP SWITCH REC WHITE |
| IRFR18N15DTR | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
| 1DS06 | CAP SWITCH RND WHITE |
| 1301720186 | BAL 26-40LB 6' W/LK W/CAST HSNG |
| IRFR18N15DTRL | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR4105TRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 27A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRFR4105TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR4105TRPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR4105TRR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 27A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR4105TRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 55V, 25A, 45 MOHM, 22.7 NC QG, D-PAK - Tape and Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。