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参数资料
| 型号： | IRFR4105TRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 68W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U4105
1000
100
10
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
100
10
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5 V
4.5 V
1
1
0.1
0.1
1
2 0μ s P U L S E W ID TH
T C = 25 °C
10 100
A
0.1
0.1
1
20 μ s P U LS E W ID TH
T C = 1 75 °C
10 100
A
V DS , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 2 5 °C
2.4
2.0
I D = 2 6A
10
T J = 1 7 5°C
1.6
1.2
0.8
0.4
tion
1
4
5
6
7
V DS = 25V
2 0 μ s P U LS E W ID TH
8 9
10
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V G S = 1 0V
100 120 140 160 180
A
V G S , G ate-to-So urce Vo ltag e (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction T em perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1PS06 | CAP SWITCH REC WHITE |
| IRFR18N15DTR | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
| 1DS06 | CAP SWITCH RND WHITE |
| 1301720186 | BAL 26-40LB 6' W/LK W/CAST HSNG |
| IRFR18N15DTRL | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR4105TRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 27A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRFR4105TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR4105TRPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR4105TRR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 27A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR4105TRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 55V, 25A, 45 MOHM, 22.7 NC QG, D-PAK - Tape and Reel |
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