- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384498 > IRFR5505 (International Rectifier) P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P沟道表贴型HEXFET功率MOS场效应管) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFR5505 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P沟道表贴型HEXFET功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | P通道表面贴装HEXFET功率MOSFET的性（P沟道表贴型的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 10/10页 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | IRFR5505 |
IRFR/U5505
Tape & Reel Information
TO-252AA
TR
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
12.1 ( .476 )
11.9 ( .469 )
FEE D DIREC TION
FEE D DIREC TION
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
TRR
TRL
N OTES :
1. CONTRO LLING DIM ENS ION : M ILLIM ETER.
2. ALL DIME NSIONS ARE S HOW N IN M ILLIM ETE RS ( IN CHES ).
3. OUTLINE CON FOR MS TO E IA -481 & E IA-541.
NOTES :
1. OUTLINE CONFORM S TO EIA-481.
16 m m
13 INC H
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice.
8/97
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFRU6215 | Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A) |
| IRFU6215 | CAP 0.22UF 25V 10% X7R SMD-1206 TR-7-PL 3K/REEL |
| IRFR6215 | Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A) |
| IRFRU9024N | Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A) |
| IRFU9024N | CAP 0.22UF 50V 10% X7R SMD-1206 TR-7-PL 3K/REEL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR5505CPBF | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR5505CTRLPBF | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR5505GPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance |
| IRFR5505GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -18A 110mOhm 21.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR5505HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。