型号: | IRFR9110PBF |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET Power MOSFET |
中文描述: | HEXFET功率MOSFET |
文件页数: | 1/10页 |
文件大小: | 1814K |
代理商: | IRFR9110PBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFu9110PBF | HEXFET Power MOSFET |
IRFR9110 | 3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(3.1A, 100V, 1.200 Ω, P沟道功率MOS场效应管) |
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IRFR9220PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFR9110TF | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
IRFR9110TM | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
IRFR9110TR | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFR9110TRA | 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET |
IRFR9110TRL | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |