参数资料
型号: IRFR9111
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | TO-252
中文描述: 晶体管| MOSFET的| P通道| 80V的五(巴西)直| 3.2AI(四)|至252
文件页数: 1/1页
文件大小: 55K
代理商: IRFR9111
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相关PDF资料
PDF描述
IRFR91209A TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-252AA
IRFR9212 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-252AA
IRFR9221 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-252AA
IRFS1Z0 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 820MA I(D) | TO-243AA
IRFU9221 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-251AA
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFR9120 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9120_R4941 功能描述:MOSFET TO-252 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR91209A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-252AA
IRFR91209AR3603 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFR9120N 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P D-PAK