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参数资料
| 型号： | IRFR9220PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 1090K |
| 代理商： | IRFR9220PBF |
www.irf.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU9220PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRFR9220 | 3.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
| IRFU9220 | 3.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
| IRFR9220 | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.6A) |
| IRFU9220 | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.6A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR9220T_R4941 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9220TR | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9220TRL | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9220TRLPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9220TRPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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