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参数资料
| 型号： | IRFS11N50ATRR |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 520 毫欧 @ 6.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 52nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1423pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 170W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFS11N50A, SiHFS11N50A
www.vishay.com
V DS
Vishay Siliconix
R D
R g
V GS
D.U.T.
+
- V DD
10 V
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
V DS
90 %
10 %
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
15 V
t p
V DS
V DS
L
Driver
- V DD
R g
20 V
t p
D.U.T.
I AS
0.01 Ω
+
A
I AS
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
S13-1927-Rev. E, 09-Sep-13
5
Document Number: 91286
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS17N20DTRLP | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK |
| IRFS3507TRLPBF | MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK |
| IRFS450B | MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3PF |
| IRFSL23N15D | MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 |
| IRFSL23N20D | MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFS11N50ATRRP | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS11N50ATRRPBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFS140 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 19.4A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS140A | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS141 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19.4A I(D) | SOT-186VAR |
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