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参数资料
| 型号： | IRFS450B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3PF |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 390 毫欧 @ 4.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 113nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 96W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | SC-94 |
| 供应商设备封装： | TO-3PF |
| 包装： | 管件 |
November 2001
IRFS450B
500V N-Channel MOSFET
General Description
Features
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,
planar, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
?
?
?
?
?
?
9.6A, 500V, R DS(on) = 0.39 ? @V GS = 10 V
Low gate charge ( typical 87 nC)
Low Crss ( typical 60 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switch mode power supplies,
power factor correction and electronic lamp ballasts based
on half bridge.
D
!
●
G !
?
●
●
▲
G D S
Absolute Maximum Ratings
TO-3PF
IRFS Series
T C = 25°C unless otherwise noted
!
S
Symbol
V DSS
Drain-Source Voltage
Parameter
IRFS450B
500
Units
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25°C)
- Continuous (T C = 100°C)
9.6
6.1
A
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
38.4
A
V GSS
Gate-Source Voltage
± 30
V
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation (T C = 25°C)
- Derate above 25°C
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
990
9.6
9.6
5.5
96
0.77
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/°C
T J , T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8 " from case for 5 seconds
-55 to +150
300
°C
°C
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Typ
--
--
Max
1.3
40
Units
°C / W
°C / W
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, November 2001
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFSL23N15D | MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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