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参数资料
型号： IRFS450B
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 2/8页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3PF
标准包装： 30
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 9.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 390 毫欧 @ 4.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 113nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 3800pF @ 25V
功率 - 最大： 96W
安装类型： 通孔
封装/外壳： SC-94
供应商设备封装： TO-3PF
包装： 管件
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
/ ? T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25°C
V DS = 500 V, V GS = 0 V
V DS = 400 V, T C = 125°C
V GS = 30 V, V DS = 0 V
V GS = -30 V, V DS = 0 V
500
--
--
--
--
--
--
0.55
--
--
--
--
--
--
10
100
100
-100
V
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
R DS(on)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source
On-Resistance
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 10 V, I D = 4.8 A
2.0
--
--
0.31
4.0
0.39
V
?
g FS
Forward Transconductance
V DS = 40 V, I D = 4.8 A
(Note 4)
--
11.5
--
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
--
--
--
2900
260
60
3800
340
80
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = 250 V, I D = 14 A,
R G = 25 ?
V DS = 400 V, I D = 14 A,
V GS = 10 V
(Note 4, 5)
(Note 4, 5)
--
--
--
--
--
--
--
45
130
260
125
87
13
39
100
270
530
260
113
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
I SM
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
--
--
9.6
38.4
A
A
V SD
t rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
V GS = 0 V, I S = 9.6 A
V GS = 0 V, I S = 14 A,
--
--
--
495
1.4
--
V
ns
Q rr
Reverse Recovery Charge
dI F / dt = 100 A/ μ s
(Note 4)
--
7.66
--
μ C
Notes:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 19.3mH, I AS = 9.6A, V DD = 50V, R G = 25 ?, Starting T J = 25°C
3. I SD ≤ 14A, di/dt ≤ 300A/ μ s, V DD ≤ BV DSS, Starting T J = 25°C
4. Pulse Test : Pulse width ≤ 300 μ s, Duty cycle ≤ 2%
5. Essentially independent of operating temperature
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, November 2001
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