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参数资料
| 型号： | IRFS17N20DTRRP |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 9.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFB/IRFS/IRFSL17N20DPbF
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
20
16
I D = 9.8A
V DS = 160V
V DS = 100V
V DS = 40V
1000
Ciss
12
100
Coss
Crss
8
4
10
1
10
100
1000
0
0
10
20
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
30 40 50
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
T J = 175 ° C
10
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
1
T J = 25 ° C
10
1
100us
1ms
10ms
0.1
0.2
0.5
0.8
V GS = 0 V
1.1 1.4
0.1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
100
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3303STRRPBF | MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK |
| RK-2405S/H | CONV DC/DC 1W 24VIN 05VOUT |
| RK-1515S/P | CONV DC/DC 1W 15VIN 15VOUT |
| RK-1515S/H | CONV DC/DC 1W 15VIN 15VOUT |
| RK-1512S/P | CONV DC/DC 1W 15VIN 12VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFS1Z0 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 820MA I(D) | TO-243AA |
| IRFS1Z3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 750MA I(D) | TO-243AA |
| IRFS23N15D | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFS23N15DHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRFS23N15DPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 150V, RDS(ON) 0.09Ohm, ID 23A, D2Pak, PD 136W, VGS +/-30V, -55 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 23A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 150V, 23A, D2-PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D |
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