参数资料
型号: IRFS17N20DTRRP
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 170 毫欧 @ 9.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRFB/IRFS/IRFSL17N20DPbF
15V
500
TOP
I D
4.0A
VDS
L
DRIVER
400
BOTTOM
7.0A
9.8A
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
300
200
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
100
V (BR)DSS
tp
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J , Junction Temperature ( C)
°
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
I AS
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Q G
50K ?
- DS
10V
Q GS
Q GD
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
V G
V GS
3mA
6
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
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PDF描述
IRL3303STRRPBF MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
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