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参数资料
| 型号： | IRFS340A |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | Advanced Power Mosfet |
| 中文描述： | 8 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | TO-3PF, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 222K |
| 代理商： | IRFS340A |
IRFS340A
BV
DSS
= 400 V
R
DS(on)
= 0.55
I
D
= 8 A
400
8
5.1
44
±
30
549
8
8.5
4.0
85
0.68
- 55 to +150
300
1.46
40
--
--
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current: 10
μ
A (Max.) @ V
DS
= 400V
Lower R
DS(ON)
: 0.437
(Typ.)
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
R
θ
JC
R
θ
JA
°
C/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
°
C)
Continuous Drain Current (T
C
=100
°
C)
Drain Current-Pulsed
(1)
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(2)
Avalanche Current
(1)
Repetitive Avalanche Energy
(1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(3)
Total Power Dissipation (T
C
=25
°
C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds
Characteristic
Value
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
°
C
A
°
C
TO-3PF
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS340B | 400V N-Channel MOSFET |
| IRFS350A | Advanced Power MOSFET |
| IRFS440B | 500V N-Channel MOSFET |
| IRFS450A | N-Channel Power MOSFET（500V，0.4Ω，9.6A）(N沟道功率MOS场效应管（漏源电压500V，导通电阻0.4Ω，漏电流9.6A）) |
| IRFS450 | 500V N-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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