型号: | IRFS350A |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | Advanced Power MOSFET |
中文描述: | 11.5 A, 400 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | TO-3PF, 3 PIN |
文件页数: | 7/7页 |
文件大小: | 231K |
代理商: | IRFS350A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFS440B | 500V N-Channel MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFS3607TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFS3806PBF | 功能描述:MOSFET 60V SINGLE N-CH 15.8mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFS3806TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |