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参数资料
| 型号： | IRFS41N15DTRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2520pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFB/IRFIB/IRFS/IRFSL41N15D
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
20
I D = 25A
10000
C iss = C gs + C gd , C ds
Crss = C gd
Coss = C ds + Cgd
SHORTED
16
V DS = 120V
V DS = 75V
V DS = 30V
1000
Ciss
Coss
12
8
100
Crss
4
FOR TEST CIRCUIT
10
0
SEE FIGURE 13
1
10 100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1000
0
20 40 60 80 100
Q G , Total Gate Charge (nC)
120
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
1000
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
10
1
T J = 175 ° C
T J = 25 ° C
100
10
10us
100us
1ms
0.1
0.2
0.6
1.0
V GS = 0 V
1.4 1.8
1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
100
10ms
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1RS031 | CAP SWITCH GREY/TRANS LENS |
| UB16NBKG015C | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| 1QS086 | CAP SWITCH RED/FROST WHITE LENS |
| 403C11A32M00000 | CRYSTAL 32.0 MHZ 10 PF SMD |
| 1ES096 | CAP SWITCH BLACK/FROST WHT LENS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFS4227PBF | 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 26mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS4227TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS4228PBF | 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH PDP SWITCH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS4228TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS4229PBF | 功能描述:MOSFET 250V 1 N-CH HEXFET PDP SWITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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