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参数资料
| 型号： | IRFS450 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 9.6 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | TO-3PF, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 687K |
| 代理商： | IRFS450 |
Rev. B, November 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
I
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
GS
V
DS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
--------------------
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS450B | 500V N-Channel MOSFET |
| IRFS460 | N-Channel Power MOSFET（500V，0.25Ω，12.4A）(N沟道功率MOS场效应管（漏源电压500V，导通电阻0.25Ω，漏电流12.4A）) |
| IRFS510 | Advanced Power MOSFET |
| IRFS510A | Advanced Power MOSFET |
| IRFS520A | Advanced Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFS450A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-247VAR |
| IRFS450B | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS451 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 9A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS4510PBF | 功能描述:MOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS4510TRLPBF | 功能描述:MOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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