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参数资料
| 型号： | IRFS644B |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 14 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 900K |
| 代理商： | IRFS644B |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, November 2001
I
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF650A | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为200V，导通电阻为0.85Ω，漏电流为28A）) |
| IRF710-713 | N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V |
| IRF711 | N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V |
| IRF712 | TRI CON SKT 14 GLD ST/LO |
| IRF713 | Connector Contact,SKT,CRIMP Terminal |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFS644B_FP001 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS644BYDTU | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFS644BYDTU_AS001 | 功能描述:MOSFET N-Ch, 250V, 7.9A 0.28Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS645 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 7.4A I(D) | TO-220VAR |
| IRFS650A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
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