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参数资料
| 型号： | IRFU18N15D |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 18A I-PAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFU18N15D |
IRFR18N15D/IRFU18N15D
100
TOP
VGS
15V
100
TOP
VGS
15V
10
10V
9.0V
8.0V
7.5V
7.0V
6.5V
BOTTOM 6.0V
10
10V
9.0V
8.0V
7.5V
7.0V
6.5V
BOTTOM 6.0V
1
6.0V
6.0V
0.1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10 100
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 175 ° C
10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 175 ° C
T J = 25 ° C
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 18A
1
6
7
8
9
V DS = 50V
20μs PULSE WIDTH
10 11
12
0.0
-60 -40 -20
0
V GS = 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU1205 | MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK |
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| IRLR2705 | MOSFET N-CH 55V 28A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU18N15DPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 150V, 18A, 125 MOHM, 28 NC QG, I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 18A 3PIN IPAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 150V 18A I-PAK |
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| IRFU1N60A | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU1N60APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU210 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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