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参数资料
| 型号： | IRFU18N15D |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 18A I-PAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFU18N15D |
IRFR18N15D/IRFU18N15D
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = C gs + Cgd , C ds
Crss = C gd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
20
16
I D = 11A
V DS = 120V
V DS = 75V
V DS = 30V
1000
Ciss
12
Coss
8
100
Crss
4
10
1
10
100
1000
0
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
0
10 20 30
Q G , Total Gate Charge (nC)
40
T J = 175 C
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
10
°
1000
100
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
1
T J = 25 ° C
10
100us
0.1
0.2
0.5
0.8
V GS = 0 V
1.1 1.4
1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
100
1ms
10ms
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU1205 | MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK |
| IRLR8503 | MOSFET N-CH 30V 44A DPAK |
| AT4027JF | SW CAP RECTANGULAR CLEAR GREEN |
| IRLR2705 | MOSFET N-CH 55V 28A DPAK |
| AT4130JB | CAP RECT CLR/WHT FOR LED LB SER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU18N15DPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 150V, 18A, 125 MOHM, 28 NC QG, I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 18A 3PIN IPAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 150V 18A I-PAK |
| IRFU1920 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFU1N60A | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU1N60APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU210 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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