参数资料
型号: IRFU2905ZPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
产品目录绘图: IR Hexfet IPAK
标准包装: 75
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 42A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14.5 毫欧 @ 36A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1380pF @ 25V
功率 - 最大: 110W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
其它名称: *IRFU2905ZPBF
IRFR/U2905ZPbF
1000
1000
100
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
100
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
10
10
4.5V
1
4.5V
0.1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
0.1
1
10
100
0.1
1 1
10
1 00
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
1000.0
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
50
T J = 175°C
40
100.0
T J = 175°C
30
T J = 25°C
10.0
T J = 25°C
20
1.0
4.0
5.0
6.0
VDS = 25V
≤ 60μs PULSE WIDTH
7.0    8.0    9.0
10.0
10
0
VDS = 15V
380μs PULSE WIDTH
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0
10 20 30 40
ID, Drain-to-Source Current (A)
50
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Typical Forward Transconductance
Vs. Drain Current
3
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PDF描述
1TL1-7E SWITCH TOGGLE SPDT MOM-OFF-MOM
FXO-HC730R-7.86432 OSC 7.86432 MHZ 3.3V HCMOS SMD
2TL11-3 SWITCH TOGGLE ON-ON DPDT
HM86-10320LFTR CHOKE COMM MODE 320UH 1.6A SMD
445I23K24M00000 CRYSTAL 24.00000 MHZ 8PF SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
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IRFU310A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | TO-251AA
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IRFU310PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube