参数资料
型号: IRFU2905ZPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 4/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
产品目录绘图: IR Hexfet IPAK
标准包装: 75
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 42A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14.5 毫欧 @ 36A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1380pF @ 25V
功率 - 最大: 110W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
其它名称: *IRFU2905ZPBF
IRFR/U2905ZPbF
2400
2000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
ID= 36A
VDS= 44V
VDS= 28V
VDS= 11V
1600
Ciss
12
1200
8
800
400
Coss
4
FOR TEST CIRCUIT
0
1
Crss
10
100
0
0
10
20
SEE FIGURE 13
30 40
50
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000.0
100.0
10.0
1.0
T J = 175°C
T J = 25°C
1000
100
10
1
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
1msec
0.1
VGS = 0V
0.1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
10msec
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
1
10
100
1000
4
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料
PDF描述
1TL1-7E SWITCH TOGGLE SPDT MOM-OFF-MOM
FXO-HC730R-7.86432 OSC 7.86432 MHZ 3.3V HCMOS SMD
2TL11-3 SWITCH TOGGLE ON-ON DPDT
HM86-10320LFTR CHOKE COMM MODE 320UH 1.6A SMD
445I23K24M00000 CRYSTAL 24.00000 MHZ 8PF SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFU310 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU310A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | TO-251AA
IRFU310B 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET
IRFU310BTU 功能描述:MOSFET 400V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU310PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube