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参数资料
| 型号： | IRFU3411PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | IRFU3411PBF |
www.irf.com
9
ASSEMBLY
LOT CODE
EXAMPLE:
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 5678
THIS IS AN IRFU120
YEAR 9 = 1999
WEEK 19
DATE CODE
LINE A
IN THE ASSEMBLY LINE "A"
ASSEMBLED ON WW 19, 1999
PART NUMBER
56
IRFU120
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
919A
78
Note:
"P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"
56
78
ASSEMBLY
LOT CODE
RECTIFIER
LOGO
INTERNATIONAL
IRFU120
PART NUMBER
WEEK 19
A = ASSEMBLY SITE CODE
DATE CODE
P = PRODUCT (OPTIONAL)
YEAR 9 = 1999
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3412 | SMPS MOSFET |
| IRFU3412 | SMPS MOSFET |
| IRFR3418 | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3418 | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR3505 | AUTOMOTIVE MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU3412 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET |
| IRFU3412PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 48A I-PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU3418 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3418PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 70A I-PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU3504 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET |
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