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参数资料
| 型号： | IRFU3412PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的开关电源 |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 235K |
| 代理商： | IRFU3412PBF |
www.irf.com
1
12/03/04
IRFR3412PbF
IRFU3412PbF
HEXFET Power MOSFET
SMPS MOSFET
V
DSS
100V
R
DS(on)
max
0.025
I
D
48A
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Motor Drive
Bridge Converters
All Zero Voltage Switching
Lead-Free
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
Enhanced Body Diode dv/dt Capability
Applications
Parameter
Max.
48
34
190
140
0.95
± 20
6.4
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 second
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw
A
W
W/°C
V
V/ns
°C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300(1.6mm from case )
10 lbfin (1.1Nm)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Reverse RecoveryCurrent
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 29A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
F
= 29A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
–––
–––
–––
–––
–––
68
160
4.5
1.3
100
240
6.8
V
ns
nC
A
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
S
D
G
Diode Characteristics
48
190
D-Pak
IRFR3412 IRFU3412
I-Pak
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU3418PbF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3505PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRFU3704PbF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU9024NCPBF | HEXFET POWER MOSFET |
| IRFR9024NCPBF | HEXFET POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU3418 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3418PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 70A I-PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU3504 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRFU3504PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 87A 9.2mOhm 71nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU3504Z | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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