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参数资料
| 型号： | IRFU3418PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 70A I-PAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 94nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFU3418PBF |
IRFR/U3418PbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
80
–––
–––
V
V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.08
–––
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
V GS(th)
I DSS
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
–––
3.5
–––
11.5
–––
–––
14
5.5
1.0
m ?
V
μA
V GS = 10V, I D = 18A
V DS = V GS , I D = 250μA
V DS = 80V, V GS = 0V
–––
–––
250
V DS = 64V, V GS = 0V, T J = 150°C
I GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
–––
–––
–––
100
-100
nA
V GS = 20V
V GS = -20V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
gfs
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
C oss eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
66
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
63
23
23
24
72
41
27
3510
330
190
1220
240
360
–––
94
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
ns
pF
V DS = 25V, I D = 18A
I D = 18A
V DS = 40V
V GS = 10V
V DD = 40V
I D = 18A
R G = 6.8 ?
V GS = 10V
V GS = 0V
V DS = 25V
? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 64V, ? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 0V to 64V
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
–––
–––
260
18
mJ
A
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
–––
–––
70
A
MOSFET symbol
D
(Body Diode)
showing the
I SM
Pulsed Source Current
–––
–––
280
integral reverse
G
(Body Diode)
p-n junction diode.
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
57
130
1.3
–––
–––
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 18A, V GS = 0V
T J = 150°C, I F = 18A, V DD = 25V
di/dt = 100A/μs
t on
2
Forward Turn-On Time
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
www.irf.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRFU3504Z | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU3504ZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 77A 9mOhm 30nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU3505 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET |
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