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参数资料
| 型号： | IRFU3418PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 70A I-PAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 94nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFU3418PBF |
IRFR/U3418PbF
100000
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
12.0
10.0
8.0
ID= 18A
VDS= 64V
VDS= 40V
VDS= 16V
1000
Coss
Crss
6.0
4.0
100
2.0
10
0.0
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
70
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000.00
10000
Q G Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
100.00
1000
LIMITED BY R DS(on)
T J = 175°C
100
10.00
100μsec
10
1.00
T J = 25°C
1
TC = 25°C
1msec
0.10
VGS = 0V
0.1
Tj = 175°C
Single Pulse
10msec
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
1
10
100
1000
4
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU3412PBF | MOSFET N-CH 100V 48A I-PAK |
| IRFU3911PBF | MOSFET N-CH 100V 14A I-PAK |
| IRF7484PBF | MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC |
| F930J227KBA | CAP TANT 220UF 6.3V 10% 1411 |
| IRFR3504PBF | MOSFET N-CH 40V 30A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU3504 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRFU3504PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 87A 9.2mOhm 71nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU3504Z | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU3504ZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 77A 9mOhm 30nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU3505 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET |
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