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参数资料
| 型号： | IRFU3518 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 555K |
| 代理商： | IRFU3518 |
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFET Power MOSFETs
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRFR3706CPBF | SMPS MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRFU3518PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 100V 38A I-PAK |
| IRFU3607-701PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 75V, 80A, 9.0 MOHM, 56 NC QG, I-PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 75V 56A IPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 75V, 80A, 9 Ohm, 56 nC Qg, I-Pak |
| IRFU3607PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU3607TRL701P | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 75V, 80A, 9.0 MOHM, 56 NC QG, I-PAK - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 75V 56A IPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 75V, 80A, 9 Ohm, 56 nC Qg, I-Pak |
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