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参数资料
| 型号： | IRFU3704 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.5mohm, Id=75A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 20V的，的Rds（on）最大值\u003d 9.5mohm，身份证\u003d 75A条） |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | IRFU3704 |
www.irf.com
1
8/22/00
IRFR3704
IRFU3704
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
R
DS(on)
max
9.5m
Benefits
V
DSS
20V
I
D
75A
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
C
= 25
°
C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 70
°
C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
C
= 25
°
C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
C
= 70
°
C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.58 mW/
°
C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
20
Units
V
Drain-Source Voltage
± 20 V
75
63
300
90
62
A
W
W
-55 to + 175
°
C
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.7
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°
C/W
Thermal Resistance
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
D-Pak I-Pak
IRFR3704 IRFU3704
Ultra-Low R
DS(on)
Very Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Notes
through are on page 9
High Frequency DC-DC Isolated
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial use
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Applications
PD - 93887B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3706CPBF | SMPS MOSFET |
| IRFU3706CPbF | SMPS MOSFET |
| IRFR3707ZCPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3707ZCPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR3707ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU3704PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 6.4nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IRFU3704ZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 60A 8.4mOhm 9.3nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU3704ZPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRFU3706 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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