参数资料
型号: IRFU3704
厂商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.5mohm, Id=75A)
中文描述: 功率MOSFET(减振钢板基本\u003d 20V的,的Rds(on)最大值\u003d 9.5mohm,身份证\u003d 75A条)
文件页数: 7/9页
文件大小: 115K
代理商: IRFU3704
IRFR/U3704
www.irf.com
7
D-Pak (TO-252AA) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
D-Pak (TO-252AA) Part Marking Information
6.73 (.265)
6.35 (.250)
- A -
4
1 2 3
6.22 (.245)
5.97 (.235)
- B -
3X
0.89 (.035)
0.64 (.025)
0.25 (.010) M A M B
4.57 (.180)
2.28 (.090)
2X
1.14 (.045)
0.76 (.030)
1.52 (.060)
1.15 (.045)
1.02 (.040)
1.64 (.025)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
1.27 (.050)
0.88 (.035)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
6.45 (.245)
5.68 (.224)
0.51 (.020)
MIN.
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LEAD ASSIG NMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOUR CE
4 - DRAIN
10.42 (.410)
9.40 (.370)
N OTES:
1 D IMENSION ING & TOLERANCIN G PER ANSI Y 14.5M, 1982.
2 C ONTROLLING DIMEN SION : INCH.
3 C ONFO RMS TO JEDEC OUTLINE TO-252AA.
4 D IMENSION S SH OW N ARE BEFORE SOLD ER DIP,
SOLD ER D IP MAX. +0.16 (.006).
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参数描述
IRFU3704PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 6.4nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IRFU3704ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 60A 8.4mOhm 9.3nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU3704ZPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRFU3706 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件